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首頁技術支持技術資料 伊西斯的新型且創意的低姿態TCXO晶體振蕩器ECS-TXO-2016-33-160-TR

伊西斯的新型且創意的低姿態TCXO晶體振蕩器ECS-TXO-2016-33-160-TR

來源:http://m.sedorisc.com 作者:yuui 2022年07月27
ECS晶振近年來發展迅猛,因此更新企業使命、愿景和價值觀聲明已經有很長一段時間了,”ECS Inc. International 總裁 Eric Slatten 說。“我們將我們的增長歸功于我們的公司文化和與客戶建立的融洽關系。新的聲明反映了我們現在成長中的公司的特點以及我們希望在未來成為的樣子。”
ECS Inc. International 是一家專注于頻率控制和電源管理的電子元件解決方案設計和制造的創新全球領導者,很高興地宣布其新使命、愿景和核心價值觀聲明在全公司范圍內采用并植根于對客戶的承諾和公司一樣。伊西斯的新型且創意的低姿態TCXO晶體振蕩器ECS-TXO-2016-33-160-TR
ECS-3225S33-250-FN-TR ECS晶振 ECS-3225S 25MHz -40°C ~ 85°C
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ECS-3225S33-260-FN-TR ECS晶振 ECS-3225S 26MHz -40°C ~ 85°C
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ECS-3225S25-240-FN-TR ECS晶振 ECS-3225S 24MHz -40°C ~ 85°C
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ECS-3225S18-160-FN-TR ECS晶振 ECS-3225S 16MHz -40°C ~ 85°C
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ECS-3225S18-200-FN-TR ECS晶振 ECS-3225S 20MHz -40°C ~ 85°C
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溫度補償晶體振蕩器 (TCXO) 通常用于 GPS、無線、Sonet、光纖通道、Wifi、服務器和存儲應用。這些 TCXO溫補晶振持續監控溫度,并將調整輸出頻率以保持嚴格的穩定性。這使得 TCXO 能夠在額定溫度范圍內提供非常穩定的時鐘。TCXO 產品可提供表面貼裝器件 (SMD) 和通孔封裝配置。
ECS-3225S18-270-FN-TR ECS晶振 ECS-3225S 27MHz -40°C ~ 85°C
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ECS-2520S18-100-FN-TR ECS晶振 ECS-2520S 10MHz -40°C ~ 85°C
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ECS-2520S18-100-FN-TR ECS晶振 ECS-2520S 10MHz -40°C ~ 85°C
The sub miniature ECS-TXO-2016 is a miniatue SMD CMOS TCXO. The 2.0 x 1.6 x 0.8 mm ceramic package is ideal for LoRa WAN, and wireless IoT applications where stability is critical.
這個非常小的貼片陶瓷封裝是專門為將32.768KHz晶體單元與基于cmos的振蕩器電路相結合。超低功耗,低至300na,成為可能通過32.768 kHz調諧叉晶體和復雜的cmosc電路。對于取放設備,部件可用12毫米膠帶:
• Low Profile
• 2.0 x 1.6 mm Footprint
• Extended Temp Range
• RoHS Compliant
低姿態
2.0 × 1.6 mm占地面積
擴展溫度范圍
通過無鉛認證的TCXO晶體振蕩器 伊西斯的新型且創意的低姿態TCXO晶體振蕩器ECS-TXO-2016-33-160-TR
ECS-2520S18-120-FN-TR ECS晶振 ECS-2520S 12MHz -40°C ~ 85°C
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ECS-2520S18-500-FN-TR ECS晶振 ECS-2520S 50MHz -40°C ~ 85°C
ECS-2520S18-500-FN-TR ECS晶振 ECS-2520S 50MHz -40°C ~ 85°C
PARAMETERS CONDITIONS ECS-TXO-2016 UNITS MIN TYP MAX Frequency Range 9.500 60.000 MHz Frequency Stability Tolerance at +25°C ± 2.0 ppm Vs. Temp (-30 ~ +85°C) ±2.0 ppm Vs. Temp (-40 ~ +85°C) ± 2.5 ppm Voltage Change Vdd ±5% ±0.2 ppm Load Change (±10%) ±0.2 ppm Aging Per year @ +25°C ±1.0 ppm Supply Voltage (Vdd) Specify in P/N +1.8, +2.5, +2.8, +3.3 ±10% V DC Standby Current 10 µA Output CMOS 15 pF Output voltage Level VOL:10%Vdd max./VOH:90%Vdd min.V DC Rise & Fall time 10%Vdd – 90%Vdd 5 ns Duty Cycle @ ½ Vdd 45/55 % Phase Noise @ 10 KHz offset -145 dBc/Hz

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