石英晶振有源化，一些高端的產(chǎn)品以目前的技術(shù)條件下，是絕對離不開有源晶振的，比如一些網(wǎng)絡(luò)交換儀，或者是通訊產(chǎn)品，通信的基站等等，隨著移動通信產(chǎn)品使用的人越來越多，基站也得到大批量的增加，所以有源晶振也從最初的普通-20--+70度普及到現(xiàn)在的-40度-85度之間，甚至更高的要求，至此日本愛普生株式會社在技術(shù)上不斷的提升，使自身產(chǎn)品得到市場廣大的認可！

         精工愛普生公司（總裁：碓井 稔，以下簡稱為“愛普生”）向市場推出了應(yīng)對700MHz以下高頻的高精度、小型差分輸出PLL晶體振蕩器SG3225 / 5032 / 7050。本系列商品中，除了提供可大幅度削減顧客電子設(shè)備安裝面積的3.2×2.5mm的小尺寸以外，還準備了市場需求較多的5.0×3.2mm和7.0×5.0mm尺寸的晶體振蕩器。
近年，由于光通信的大容量化與高速化，顧客越來越注重各種電子元器件的高頻、高精度與低抖動化；并且，伴隨以刀片服務(wù)器※3為代表的外形小型化以及處理系統(tǒng)高密度實安裝的變化趨向，使得小型化的要求不斷增加；而且，對于設(shè)置在室外的小型無線基站所用的電子元器件，還要求能夠在低溫至高溫的大范圍溫度條件下正常工作。
為了回應(yīng)這些市場要求，愛普生晶振將具備高精度、高穩(wěn)定材料特征的小型晶體振蕩單元與最佳搭配設(shè)計的小型鎖相環(huán)電路相組合，成功推出了差分輸出PLL晶體振蕩器。
本商品的頻率公差為±20×10-6、相位抖動為0.27ps typ.※4，具備了高精度、高穩(wěn)定性能，又實現(xiàn)了-40℃至+85℃的較大的工作溫度范圍，輸出形式采用了市場需求強烈的LV-PECL和LVDS兩種。
愛普生作為石英元器件的引領(lǐng)企業(yè)，今后亦將不斷地提供電子設(shè)備及社會基礎(chǔ)設(shè)施中不可或缺的小型、高精度、高穩(wěn)定商品。


【有源晶振-本商品的主要規(guī)格】

【有關(guān)本商品的咨詢處】

石英晶體振蕩器，規(guī)格（特征）

愛普生晶振規(guī)格	符號	規(guī)格說明		條件
		LV-PECL	LVDS
		SG3225EAN SG5032EAN SG7050EAN	SG3225VAN SG5032VAN SG7050VAN
輸出頻率范圍	f0	73.5MHz to 700MHz		請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息。
電源電壓	VCC	K:2.5V to 3.3V		VCC =±10%
儲存溫度范圍	T_stg	-40°C to +125°C		裸存
工作溫度范圍	T_use	B: -20°C to +70°C G: -40°C to +85°C
頻率穩(wěn)定度	f_tol	C:±20 × 10-6 E:±30 × 10-6 J:±50 × 10-6
功耗	ICC	65mA Max.	30mA Max.	OE=Vcc, L_ECL=50Ω or L_LVDS=100Ω fo=700MHz
輸出禁用電流	I_dis	20 mA Max.		OE=GND
占空比	SYM	45% to 55%		在輸出交叉點
輸出電壓 (LV-PECL)	VOH	VCC-1.0 V to VCC-0.8 V	-	DC 特征
	dVOH	VCC-1.78 V to VCC-1.62 V	-
輸出電壓 (LVDS)	VOs	-	250mV to 450mV	VOD1,,VOD2	DC 特征
	dVOs	-	50mV Max.	dVOD=VOD1,-VOD2
	VOs	-	1.15V to 1.35V	VOD1,,VOD2
	dVOs	-	150mV Max.	dVOD=VOD1,-VOD2
輸出負載條件 (ECL)/(LVDS)	L_ECL	50Ω	-	終止于 VCC -2.0 V
	L_LVDS	-	100Ω	連接到 OUT 與 之間
輸入電壓	VIH	70% VCC Min.		OE 終端
	VIL	30% VCC Max.
上升/下降時間	tr/tf	350 ps Max.	300 ps Max.	20 % ～ 80 % of (VOH-VOL). 20 % ～ 80 %微分輸出 峰-峰值
振蕩啟動時間	t_str	3ms Max.		在電源電壓最低時，所需時間為0 秒
相位抖動	tPJ	0.7 ps Max.		抵消頻率:: 12 kHz ～ 20 MHz
頻率老化	f_aging	±5 × 10-6 / year Max.		+25°C,第一年, VCC=2.5V or 3.3V,

為了維持穩(wěn)定運行，在接近有源晶振產(chǎn)品的電源輸入端處（在VCC-GND之間）添加一個0.01~0.1 μF的去耦電容。