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首頁(yè)晶振官方博客 愛(ài)普生晶振X1G004801001400可以滿足光模塊高溫的需求

愛(ài)普生晶振X1G004801001400可以滿足光模塊高溫的需求

來(lái)源:http://m.sedorisc.com 作者:康華爾電子 2022年09月08
隨著5G時(shí)代的到來(lái),5G晶振的重要性也不言而喻,愛(ài)普生晶振SG2016CAN可以用于5G前傳的25G光模塊,具有超小型輕薄型,高穩(wěn)定性、寬溫等優(yōu)勢(shì)。在5G前傳光纖傳輸網(wǎng)絡(luò)中,25G光模塊是主流方案。在方案中,控制MCU需要具有I2C、ADC、DAC和多個(gè)IO口功能。由于波分方案中,需要使用TEC進(jìn)行溫度控制,TEC Driver必不可少。為了節(jié)約成本,TEC Driver可以采用分立器件,用MCU的PWM控制進(jìn)行TEC調(diào)節(jié)。為了提高M(jìn)CU的控制精度,MCU需要使用精度更高的外部5G晶振。EPSON公司推出的5G晶振SG2016CAN,是一款CMOS輸出的石英晶體振蕩器。頻率穩(wěn)定度可達(dá)±50PPM,頻率老化度僅為±3PPM/year,具有較高的穩(wěn)定性,滿足光模塊長(zhǎng)期使用的要求。SG2016CAN封裝小,尺寸為2.0mm×1.6mm×0.7mm,光模塊體積小,采用2016封裝,更容易PCB設(shè)計(jì)。SG2016CAN的工作溫度范圍:-40℃~105℃,具有較高的工作溫度。5G前傳光模塊中,一般需要選擇寬溫的工作期間,所以5G晶振也需要更高的溫度范圍,使用愛(ài)普生晶振SG2016CAN可以滿足光模塊高溫的需求,X1G004801005900,有源晶振
貼片晶振 型號(hào) 頻率 尺寸 輸出波
X1G004801000200 SG2016CAN 24.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801000300 SG2016CAN 26.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801000700 SG2016CAN 12.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801001200 SG2016CAN 25.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801001300 SG2016CAN 50.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801001400 SG2016CAN 16.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801001800 SG2016CAN 20.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801002000 SG2016CAN 48.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801002100 SG2016CAN 27.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801002400 SG2016CAN 25.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801002600 SG2016CAN 33.333300MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801002700 SG2016CAN 10.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801002800 SG2016CAN 50.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801002900 SG2016CAN 10.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801003000 SG2016CAN 4.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801003100 SG2016CAN 24.576000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801003500 SG2016CAN 25.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801003600 SG2016CAN 40.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS

X1G004801003900 SG2016CAN 26.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801004000 SG2016CAN 24.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801004400 SG2016CAN 12.288000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801004500 SG2016CAN 8.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801004600 SG2016CAN 8.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801004900 SG2016CAN 4.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801005000 SG2016CAN 12.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801005100 SG2016CAN 12.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801005200 SG2016CAN 12.288000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801005300 SG2016CAN 12.288000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801005400 SG2016CAN 14.745600MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801005500 SG2016CAN 14.745600MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801005600 SG2016CAN 16.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801005700 SG2016CAN 20.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801005800 SG2016CAN 20.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801005900 SG2016CAN 24.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801006000 SG2016CAN 24.576000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801006100 SG2016CAN 27.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
X1G004801006200 SG2016CAN 32.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS
愛(ài)普生晶振SG2016CAN可以滿足光模塊高溫的需求,X1G004801005900,有源晶振
SG2016CAN有源晶振還具有超低功耗的優(yōu)點(diǎn)。響應(yīng)時(shí)間僅為3ms,上升/下降延遲時(shí)間為4ns。在工作頻率為20MHz,無(wú)負(fù)載情況時(shí),工作電流可達(dá)1.8mA,待機(jī)狀態(tài)下的電流可達(dá)2.7μA。所以,在5G前傳光模塊方案中,如果需要MCU主頻更穩(wěn)定,外置高溫、穩(wěn)定性好的5G晶振時(shí),EPSON公司推出的SG2016CAN是較理想的選擇。



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