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來源：http://m.sedorisc.com 作者：康華爾電子 2019年12月06
CSX-252FAE25000000T西鐵城振蕩器的正確用法要看這里
日本シチズンファインデバイス株式會(huì)社的中文名字叫做西鐵城晶振,已經(jīng)是我們介紹過多次的知名品牌了,但是對(duì)于他們的產(chǎn)品,許多用戶仍然是一知半解,尤其是西鐵城生產(chǎn)的石英晶體振蕩器,在市場(chǎng)的需求量常年都是比較大的.質(zhì)量是業(yè)界和用戶公認(rèn)的優(yōu)質(zhì),通常只要參數(shù)選型沒問題,正常情況下可以用得很好,但由于部分用戶對(duì)振蕩器不熟悉,尤其是復(fù)雜的電路匹配,或是其他操作方式不正確,都有可能導(dǎo)致晶振使用異常.因此在使用西鐵城晶振時(shí),最好遵循以下的方法和操作.
1.晶振的使用注意事項(xiàng)
I.誤丟時(shí):石英晶體振蕩器單元的設(shè)計(jì)和制造符合振動(dòng)和沖擊的要求標(biāo)準(zhǔn),但如果振蕩器單元意外掉落在地板上,則應(yīng)按原樣使用.使用前請(qǐng)務(wù)必檢查性能.
II.焊接時(shí):
1.焊接導(dǎo)線時(shí),請(qǐng)?jiān)?80ºC內(nèi)和3秒內(nèi)焊接烙鐵頭溫度.
2.通過浸錫安裝時(shí),請(qǐng)?jiān)?60ºC或更低的溫度下10秒鐘內(nèi)焊接.此外,建議將晶體單元立在板上時(shí)進(jìn)行焊料浸漬.另外,在將晶振單元浸入板上時(shí),請(qǐng)確保熱量不會(huì)傳遞到整個(gè)晶振單元上.
3.當(dāng)將熱量施加到整個(gè)振蕩器單元(例如,回流爐)時(shí),爐子非常小,使用焊料的壓裝方法可能會(huì)大大降低性能.
III.在板上安裝時(shí):
如果以相反的方向安裝,可能會(huì)導(dǎo)致故障或損壞,請(qǐng)務(wù)必在安裝前檢查方向.使用自動(dòng)安裝機(jī)時(shí),請(qǐng)確保沒有損壞,并使用影響較小的型號(hào).
熱沖擊:
避免反復(fù)快速的溫度變化,因?yàn)檫@可能會(huì)導(dǎo)致內(nèi)置晶體單元的劣化和封裝中的斷線.
靜電:
如果對(duì)集成電路施加過多的靜電,可能會(huì)損壞集成電路,請(qǐng)使用導(dǎo)電包裝和運(yùn)輸容器.此外,請(qǐng)使用不會(huì)泄漏高壓的電烙鐵,測(cè)量電路等,并在工作期間將其接地.
VII.噪音:
如果在電源和輸入端子上施加過多的外部噪聲,則可能會(huì)導(dǎo)致閂鎖現(xiàn)象和雜散現(xiàn)象,從而可能導(dǎo)致故障.另外,請(qǐng)勿在石英晶體振蕩器附近放置任何會(huì)產(chǎn)生高噪聲的東西.
VIII.電源線:
將電源阻抗設(shè)計(jì)為盡可能低.為了穩(wěn)定運(yùn)行,請(qǐng)?jiān)谡袷幤鞯碾娫匆_(VDD引腳和GND引腳)上盡可能靠近地連接一個(gè)約0.01μF至0.1μF的旁路電容器.將電源線(VDD,GND)粗細(xì)短接.
IX.輸出線:
將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的位置,以降低輸出和電磁輻射的線路阻抗.
X.輸入行:
盡管OE在內(nèi)部上拉,但請(qǐng)使用低阻抗作為噪聲對(duì)策,或者在不使用時(shí)將其連接至VDD.
振蕩器電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
設(shè)計(jì)振蕩電路時(shí),必須將電路常數(shù)設(shè)置為最佳條件,以便最大程度地利用晶體單元的特性.CITIZEN晶振提供了一項(xiàng)服務(wù),該服務(wù)可根據(jù)以下經(jīng)驗(yàn)研究以下特性,以優(yōu)化西鐵城有源晶振單元和晶體之間的匹配.此電路調(diào)查的目的是讓客戶更安全地使用晶體單元.
1. MOS型晶體振蕩電路
CMOS晶體振蕩電路
2.頻率與電源電壓特性
表示相對(duì)于電源電壓變化的頻率變化率.由于功率波動(dòng)引起的頻率變化的原因在電路側(cè)(尤其是IC)比晶體單元大,通常希望將頻率變化率保持在±5ppm以內(nèi),電源電壓波動(dòng)為±10％的.
3.頻率-溫度特性
代表頻率相對(duì)于溫度的變化率.單獨(dú)的石英晶體單元的頻率溫度特性和整個(gè)振蕩電路的特性之間可能會(huì)有很大的差異.
4.如何檢查振蕩余量
為了確認(rèn)振蕩電路的振蕩余量是否足夠,需要知道振蕩電路的負(fù)電阻(-R).插入與晶振單元串聯(lián)的可變電阻器(VR),并從振蕩停止?fàn)顟B(tài)更改到振蕩開始為止的值.振蕩開始時(shí)的VR值變?yōu)樨?fù)電阻值(-R).為了獲得足夠的振蕩電路的振蕩余量,請(qǐng)調(diào)整C1,C2和Rd,以使負(fù)電阻值至少為石英晶體振蕩器單元有效電阻值的5倍.此外,當(dāng)用于車載等高度可靠的設(shè)備時(shí),建議使用10次以上.
CSX-252FAE25000000T晶振是西鐵城公司旗下一款小體積2520mm封裝的石英晶體振蕩器,以上的晶振注意事項(xiàng)和操作用法,都適用于任何一種有源晶振,如果有疑問,可以到http://m.sedorisc.com/康華爾電子官網(wǎng)上留言提出,我們將會(huì)給出完整正確的答案,接下來我司將分享部分西鐵城振蕩器的原廠編碼,供廣大新老客戶參考選型.
CSX-252FAE25000000T西鐵城振蕩器的正確用法要看這里
日本シチズンファインデバイス株式會(huì)社的中文名字叫做西鐵城晶振,已經(jīng)是我們介紹過多次的知名品牌了,但是對(duì)于他們的產(chǎn)品,許多用戶仍然是一知半解,尤其是西鐵城生產(chǎn)的石英晶體振蕩器,在市場(chǎng)的需求量常年都是比較大的.質(zhì)量是業(yè)界和用戶公認(rèn)的優(yōu)質(zhì),通常只要參數(shù)選型沒問題,正常情況下可以用得很好,但由于部分用戶對(duì)振蕩器不熟悉,尤其是復(fù)雜的電路匹配,或是其他操作方式不正確,都有可能導(dǎo)致晶振使用異常.因此在使用西鐵城晶振時(shí),最好遵循以下的方法和操作.
I.誤丟時(shí):石英晶體振蕩器單元的設(shè)計(jì)和制造符合振動(dòng)和沖擊的要求標(biāo)準(zhǔn),但如果振蕩器單元意外掉落在地板上,則應(yīng)按原樣使用.使用前請(qǐng)務(wù)必檢查性能.
II.焊接時(shí):
1.焊接導(dǎo)線時(shí),請(qǐng)?jiān)?80ºC內(nèi)和3秒內(nèi)焊接烙鐵頭溫度.
2.通過浸錫安裝時(shí),請(qǐng)?jiān)?60ºC或更低的溫度下10秒鐘內(nèi)焊接.此外,建議將晶體單元立在板上時(shí)進(jìn)行焊料浸漬.另外,在將晶振單元浸入板上時(shí),請(qǐng)確保熱量不會(huì)傳遞到整個(gè)晶振單元上.
3.當(dāng)將熱量施加到整個(gè)振蕩器單元(例如,回流爐)時(shí),爐子非常小,使用焊料的壓裝方法可能會(huì)大大降低性能.
III.在板上安裝時(shí):
如果以相反的方向安裝,可能會(huì)導(dǎo)致故障或損壞,請(qǐng)務(wù)必在安裝前檢查方向.使用自動(dòng)安裝機(jī)時(shí),請(qǐng)確保沒有損壞,并使用影響較小的型號(hào).
熱沖擊:
避免反復(fù)快速的溫度變化,因?yàn)檫@可能會(huì)導(dǎo)致內(nèi)置晶體單元的劣化和封裝中的斷線.
靜電:
如果對(duì)集成電路施加過多的靜電,可能會(huì)損壞集成電路,請(qǐng)使用導(dǎo)電包裝和運(yùn)輸容器.此外,請(qǐng)使用不會(huì)泄漏高壓的電烙鐵,測(cè)量電路等,并在工作期間將其接地.
VII.噪音:
如果在電源和輸入端子上施加過多的外部噪聲,則可能會(huì)導(dǎo)致閂鎖現(xiàn)象和雜散現(xiàn)象,從而可能導(dǎo)致故障.另外,請(qǐng)勿在石英晶體振蕩器附近放置任何會(huì)產(chǎn)生高噪聲的東西.
VIII.電源線:
將電源阻抗設(shè)計(jì)為盡可能低.為了穩(wěn)定運(yùn)行,請(qǐng)?jiān)谡袷幤鞯碾娫匆_(VDD引腳和GND引腳)上盡可能靠近地連接一個(gè)約0.01μF至0.1μF的旁路電容器.將電源線(VDD,GND)粗細(xì)短接.
IX.輸出線:
將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的位置,以降低輸出和電磁輻射的線路阻抗.
X.輸入行:
盡管OE在內(nèi)部上拉,但請(qǐng)使用低阻抗作為噪聲對(duì)策,或者在不使用時(shí)將其連接至VDD.
振蕩器電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
設(shè)計(jì)振蕩電路時(shí),必須將電路常數(shù)設(shè)置為最佳條件,以便最大程度地利用晶體單元的特性.CITIZEN晶振提供了一項(xiàng)服務(wù),該服務(wù)可根據(jù)以下經(jīng)驗(yàn)研究以下特性,以優(yōu)化西鐵城有源晶振單元和晶體之間的匹配.此電路調(diào)查的目的是讓客戶更安全地使用晶體單元.
1. MOS型晶體振蕩電路
CMOS晶體振蕩電路
| CL | 承載能力 |
| -R | 負(fù)載電阻 |
| Le | 有效電感 |
| Re | 有效抵抗 |
表示相對(duì)于電源電壓變化的頻率變化率.由于功率波動(dòng)引起的頻率變化的原因在電路側(cè)(尤其是IC)比晶體單元大,通常希望將頻率變化率保持在±5ppm以內(nèi),電源電壓波動(dòng)為±10％的.
3.頻率-溫度特性
代表頻率相對(duì)于溫度的變化率.單獨(dú)的石英晶體單元的頻率溫度特性和整個(gè)振蕩電路的特性之間可能會(huì)有很大的差異.
為了確認(rèn)振蕩電路的振蕩余量是否足夠,需要知道振蕩電路的負(fù)電阻(-R).插入與晶振單元串聯(lián)的可變電阻器(VR),并從振蕩停止?fàn)顟B(tài)更改到振蕩開始為止的值.振蕩開始時(shí)的VR值變?yōu)樨?fù)電阻值(-R).為了獲得足夠的振蕩電路的振蕩余量,請(qǐng)調(diào)整C1,C2和Rd,以使負(fù)電阻值至少為石英晶體振蕩器單元有效電阻值的5倍.此外,當(dāng)用于車載等高度可靠的設(shè)備時(shí),建議使用10次以上.
| CSX-252FAE24576000T | CSX-252F晶振 | 24.576MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE40000000T | CSX-252F晶振 | 40MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE20000000T | CSX-252F晶振 | 20MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE6000000T | CSX-252F晶振 | 6MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE33300000T | CSX-252F晶振 | 33.3MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE10000000T | CSX-252F晶振 | 10MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE48000000T | CSX-252F晶振 | 48MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE27000000T | CSX-252F晶振 | 27MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE12000000T | CSX-252F晶振 | 12MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE25000000T | CSX-252F晶振 | 25MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE35000000T | CSX-252F晶振 | 35MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE16934400T | CSX-252F晶振 | 16.9344MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE30720000T | CSX-252F晶振 | 30.72MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE13000000T | CSX-252F晶振 | 13MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE50000000T | CSX-252F晶振 | 50MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE16000000T | CSX-252F晶振 | 16MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE24000000T | CSX-252F晶振 | 24MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE26000000T | CSX-252F晶振 | 26MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAE33000000T | CSX-252F晶振 | 33MHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX-252FAP32768T | CSX-252F晶振 | 32.768kHz | (2.50mmx2.00mm) |
| CSX532T19.800M3-U10 | CSX532T晶振 | 19.8MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T19.800M2-U10 | CSX532T晶振 | 19.8MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T13.000M2-UT10 | CSX532T晶振 | 13MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T16.800M2-UT10 | CSX532T晶振 | 16.8MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T19.200M2-UT10 | CSX532T晶振 | 19.2MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T26.000M2-UT10 | CSX532T晶振 | 26MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T13.000M3-UT10 | CSX532T晶振 | 13MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T16.800M3-UT10 | CSX532T晶振 | 16.8MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T19.200M3-UT10 | CSX532T晶振 | 19.2MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T26.000M3-UT10 | CSX532T晶振 | 26MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T16.3676M2-UT-10 | CSX532T晶振 | 16.3676MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T16.3676M3-UT-10 | CSX532T晶振 | 16.3676MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T24.5535M2-UT-10 | CSX532T晶振 | 24.5535MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T24.5535M3-UT-10 | CSX532T晶振 | 24.5535MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX325FJC12.500M-UT | CSX-325F晶振 | 12.5MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325FJC13.500M-UT | CSX-325F晶振 | 13.5MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325FJC20.000M-UT | CSX-325F晶振 | 20MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325FJC22.000M-UT | CSX-325F晶振 | 22MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325FJC24.000M-UT | CSX-325F晶振 | 24MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325FJC25.000M-UT | CSX-325F晶振 | 25MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325FJC27.000M-UT | CSX-325F晶振 | 27MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325FJC40.000M-UT | CSX-325F晶振 | 40MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325FJC44.000M-UT | CSX-325F晶振 | 44MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325FJC48.000M-UT | CSX-325F晶振 | 48MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325FHC12.500M-UT | CSX-325F晶振 | 12.5MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325FHC13.500M-UT | CSX-325F晶振 | 13.5MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325FHC20.000M-UT | CSX-325F晶振 | 20MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325FHC22.000M-UT | CSX-325F晶振 | 22MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325FHC24.000M-UT | CSX-325F晶振 | 24MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325FHC25.000M-UT | CSX-325F晶振 | 25MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325FHC27.000M-UT | CSX-325F晶振 | 27MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325FHC40.000M-UT | CSX-325F晶振 | 40MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325FHC44.000M-UT | CSX-325F晶振 | 44MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325FHC48.000M-UT | CSX-325F晶振 | 48MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325T13.000M2-UT10 | CSX-325T晶振 | 13MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325T13.000M3-UT10 | CSX-325T晶振 | 13MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325T16.000M2-UT10 | CSX-325T晶振 | 16MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325T16.000M3-UT10 | CSX-325T晶振 | 16MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325T19.200M2-UT10 | CSX-325T晶振 | 19.2MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325T19.200M3-UT10 | CSX-325T晶振 | 19.2MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325T26.000M2-UT10 | CSX-325T晶振 | 26MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325T26.000M3-UT10 | CSX-325T晶振 | 26MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325T33.600M2-UT10 | CSX-325T晶振 | 33.6MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325T33.600M3-UT10 | CSX-325T晶振 | 33.6MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325T38.400M2-UT10 | CSX-325T晶振 | 38.4MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX325T38.400M3-UT10 | CSX-325T晶振 | 38.4MHz | (3.20mmx2.50mm) |
| CSX532T12.800M2-UT10 | CSX532T晶振 | 12.8MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T12.800M3-UT10 | CSX532T晶振 | 12.8MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T13.000M1-UT10 | CSX532T晶振 | 13MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T16.000M2-UT10 | CSX532T晶振 | 16MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T16.000M3-UT10 | CSX532T晶振 | 16MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T19.680M3-UT10 | CSX532T晶振 | 19.68MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T19.800M2-UT10 | CSX532T晶振 | 19.8MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T20.000M2-UT10 | CSX532T晶振 | 20MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T20.000M3-UT10 | CSX532T晶振 | 20MHz | (5.00mmx3.20mm) |
| CSX532T26.000M1-UT10 | CSX532T晶振 | 26MHz | (5.00mmx3.20mm) |
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