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首頁(yè)歐美晶振 SHINSUNG晶振韓國(guó)新松晶振,TF-38S貼片晶振,TF-38S-25-32.768KHz-12.5pF晶振

韓國(guó)新松晶振,TF-38S貼片晶振,TF-38S-25-32.768KHz-12.5pF晶振

編號(hào)：85066475
頻率：32.768KHZ
尺寸：8.0*3.8mm

韓國(guó)新松晶振,TF-38S貼片晶振,TF-38S-25-32.768KHz-12.5pF晶振，32.768K時(shí)鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體振蕩器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無(wú)鉛...

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　 韓國(guó)新松晶振,TF-38S貼片晶振,TF-38S-25-32.768KHz-12.5pF晶振，32.768K時(shí)鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體振蕩器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷振蕩器外殼更好的耐沖擊性.
　 韓國(guó)新松晶振,TF-38S貼片晶振,TF-38S-25-32.768KHz-12.5pF晶振，石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài).

韓國(guó)新松晶振,TF-38S貼片晶振,TF-38S-25-32.768KHz-12.5pF晶振，Shinsung公司以顧客為中心，基于價(jià)值的管理，人類和諧的價(jià)值，我們認(rèn)為我們的客戶是合作伙伴，并努力滿足并超越他們對(duì)質(zhì)量，客戶服務(wù)和價(jià)值的要求我們是最新的Smd或通孔型無(wú)源貼片晶體單元，時(shí)鐘OSC，TCXO，VCXO，MCF等，并提供高產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定，穩(wěn)定性高的晶振產(chǎn)品線。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電子行業(yè)，包括電信，微處理器，汽車，儀器儀表和醫(yī)療應(yīng)用。

SHINSUNG晶振在新的加工和測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)備上的投資確保公司將繼續(xù)提供卓越的設(shè)計(jì)，并提供持續(xù)的新產(chǎn)品流，以滿足客戶在當(dāng)前和未來(lái)的需求。我們將繼續(xù)追求質(zhì)量管理，為客戶提供高品質(zhì)晶振產(chǎn)品和服務(wù).

type	TF - 38S			REMARK
frequency range	32.768 KHz
frequency stability	± 10ppm ~ ± 50ppm			at +25℃ ±3℃
operating temperature	STD. -10℃ ~ 70℃ / Option : -40℃ ~ 90℃			-80 ppm / -160 ppm
temperature coefficient	-0.034 ppm/℃ 2 TYP. / -0.04 ppm/℃ 2 max			typ.
storage temperature	-40℃ ~ 90℃
drive level	1µw max
load capacitance	12.5 pF typ.	12.5 pF typ.	12.5 pF typ.
shunt capacitance (Co)	1.4 pF max	1.7 pF max	1.1 pF max
equivalent series resistance	50 KΩ max	65 KΩ max	70 KΩ max
aging	±3.0ppm max at +25℃ ±3℃ for first year
insulation resistance	500MΩ min @ 100V
All specifications are subject to change without notice

電源線路

電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低.

輸出負(fù)載

建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）.

未用輸入終端的處理

未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作.同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加；因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND.韓國(guó)新松晶振,TF-38S貼片晶振,TF-38S-25-32.768KHz-12.5pF晶振.

熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的進(jìn)口石英晶體產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

抗沖擊

抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.

超聲波清洗

（1）使用AT-切割晶體和聲表面濾波器（SAW）/聲表面諧振器的產(chǎn)品,可以通過(guò)超聲波進(jìn)行清洗.但是,在某些條件下, 石英SMD晶振特性可能會(huì)受到影響,而且內(nèi)部線路可能受到損壞.確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性.

（2）使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無(wú)法確保能夠通過(guò)超聲波方法進(jìn)行清洗,因?yàn)榫д窨赡苁艿狡茐?

（3）請(qǐng)勿清洗開啟式無(wú)源晶體產(chǎn)品

（4）對(duì)于可清洗貼片石英晶振產(chǎn)品,應(yīng)避免使用可能對(duì)產(chǎn)品產(chǎn)生負(fù)面影響的清洗劑或溶劑等.

（5）焊料助焊劑的殘留會(huì)吸收水分并凝固.這會(huì)引起諸如位移等其它現(xiàn)象.這將會(huì)負(fù)面影響產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量.請(qǐng)清理殘余的助焊劑并烘干PCB.

負(fù)載電容

有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）.

SHINSUNG晶振將確保其振蕩器和石英晶體諧振器產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國(guó)家的以及地方環(huán)保機(jī)構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時(shí)該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機(jī)關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)保活動(dòng). 在地方對(duì)各項(xiàng)設(shè)施的管理責(zé)任中,確保滿足方針的目標(biāo)指標(biāo),同時(shí)在各種經(jīng)營(yíng)與生產(chǎn)活動(dòng)中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求.韓國(guó)新松晶振,TF-38S貼片晶振,TF-38S-25-32.768KHz-12.5pF晶振.

SHINSUNG貼片石英晶振將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少?gòu)U物產(chǎn)生和排放.我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故,保護(hù)公眾健康的同時(shí),努力改進(jìn)我們的操作.我公司將積極參與加強(qiáng)公眾環(huán)境、健康和安全意識(shí)的活動(dòng),提高公眾對(duì)普遍的環(huán)境、健康和安全問(wèn)題的注意.

SHINSUNG晶振所有的經(jīng)營(yíng)組織都將積極應(yīng)用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)以及適用的法律法規(guī).為促進(jìn)合理有效的公共政策的制訂實(shí)施加強(qiáng)戰(zhàn)略聯(lián)系.消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件,減少?gòu)U物的產(chǎn)生和排放,有效的使用能源和各種自然資源,對(duì)緊急事件做好充分準(zhǔn)備,以便及時(shí)做出反應(yīng).
對(duì)我們的高品質(zhì)進(jìn)口晶振產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn),同時(shí)告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對(duì)環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務(wù)提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境.

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