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- 編號：71559039
- 頻率：156.25MHz
- 尺寸：5.0×3.2mm
QT735LWE10M-156.250MHz,LVDS差分石英晶振,6G基站晶振
Q-Tech晶振,QT735有源晶振,QT735LWE10M-156.250MHz晶振,電壓3.3V微型石英晶體,LVDS輸出差分石英晶振,頻率156.25MHz,工作溫度-55~125°C,小體積晶振,高抗沖擊晶振,高可靠性晶振,低地球軌道應用晶振,新空間應用晶振,商業...
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QT735LWE10M-156.250MHz,LVDS差分石英晶振,6G基站晶振, Q-Tech晶振,QT735有源晶振,QT735LWE10M-156.250MHz晶振,電壓3.3V微型石英晶體,LVDS輸出差分石英晶振,頻率156.25MHz,工作溫度-55~125°C,5032mm貼片晶振,小體積晶振,高抗沖擊晶振,高可靠性晶振,低地球軌道應用晶振,新空間應用晶振,商業衛星應用晶振,6G基站晶振.
QT735LWE10M-156.250MHz,LVDS差分石英晶振,6G基站晶振 特點：
●ECCN: EAR99
●50kRad(Si)總劑量電離
●寬頻率范圍：1.000MHz至250MHz可用
●小尺寸,5.0×3.2mm表貼封裝
●CMOS,LVDS,LVPECL邏輯
●各種電源電壓，1.8Vdc至5.0Vdc
●寬工作溫度范圍-55°C至125°C
●三態輸出
●密封包裝
●基頻和第三泛音設計
●高抗沖擊和抗振動
●根據MIL-PRF-55310，B級，使用PIND進行篩選
●高抗沖擊，測試高達20，000克機械 沖擊，半正弦，0.3毫秒，所有軸
●無鉛，符合RoHS標準
●可選熱浸焊，Sn60Pb40
●注意：篩選和測試數據未序列化
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QT735LWE10M-156.250MHz,LVDS差分石英晶振,6G基站晶振參數表
| 項目 | 規格說明 | 條件 |
| 額定頻率 | 156.25MHz | 請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息 |
| 電源電壓 | 3.3V | |
| 儲存溫度 | -62℃~+125℃ | 裸存 |
| 工作溫度 | -55℃~ +125℃ | |
| 邏輯 | LVDS | |
| 頻率公差（標準） | ±100 ppm | +25℃,超出標準的規格說明請聯系我們以便獲取相關信息 |
| 對稱性（占空比） | 45%~55% | 在輸出交叉點 |
| 輸出邏輯高電平(Voh） | Voh < 1.6 V |
|
| 輸出邏輯低電平（Vol） | Vol > 0.9 V | |
| 負載 | 100Ω Differential | |
| 工作電源電流（無負載） | 60mA max. | |
| 上升下降時間 | 1000ps Max |
|
| 起始時間 | 10ms Max | |
| 老化 |
±15ppm max over 10 years
|
|
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QT735LWE10M-156.250MHz,LVDS差分石英晶振,6G基站晶振尺寸圖
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