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歐美晶振
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Tel:0755-27838351
Add:廣東深圳市寶安區(qū)67區(qū)留仙一路甲岸科技園3棟5樓
Email:konuaer@163.com
QQ:632862232
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- 編號：21282601
- 頻率：2~60MHz
- 尺寸：2.5*2.0*0.95mm
Qantek晶振,QX2晶振,耐高溫振蕩器
小體積2520貼片晶振,外觀小型,表面貼片型晶體諧振器,因本身體積小等優(yōu)勢,適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領(lǐng)域.小型,薄型,輕型 (2.5 × 2.0 × 0.95 mm typ.) 具備優(yōu)良的耐環(huán)境特性及高耐熱性強.滿足無鉛焊接的...
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Qantek晶振,QX2晶振,耐高溫振蕩器.貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
石英晶振曲率半徑加工技術(shù):石英晶振晶片在球筒倒邊加工時應(yīng)用到的加工技術(shù),主要是研究滿足不同曲率半徑石英有源晶振晶片設(shè)計可使用的方法.如:1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計(a、球面的余弦磨量;b、球面的均勻磨量;c、球面加工曲率半徑的配合)2、在加工時球面測量標準的設(shè)計原則(曲率半徑公式的計算).
石英晶振曲率半徑加工技術(shù):石英晶振晶片在球筒倒邊加工時應(yīng)用到的加工技術(shù),主要是研究滿足不同曲率半徑石英有源晶振晶片設(shè)計可使用的方法.如:1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計(a、球面的余弦磨量;b、球面的均勻磨量;c、球面加工曲率半徑的配合)2、在加工時球面測量標準的設(shè)計原則(曲率半徑公式的計算).
QANTEK創(chuàng)造了極具競爭力的商業(yè)模式,使其能夠為原始設(shè)備制造商,合同制造商和分銷商提供廣泛的高可靠性微處理器晶體和石英晶體振蕩器.QANTEK晶振為我們的客戶提供高質(zhì)量的產(chǎn)品,具有競爭力的價格,及時交付,優(yōu)秀的工程和技術(shù)支持,以及在短時間內(nèi)改變生產(chǎn)要求的靈活性.QANTEK的商業(yè)模式是通過在初始設(shè)計,原型設(shè)計和制造流程中為其提供幫助,與客戶發(fā)展緊密的長期關(guān)系.
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| 型號 | 符號 | QX2 |
| 輸出方式 | - | HCMOS |
| 輸出頻率范圍 | fo | 2~60MHz |
| 電源電壓 | VCC | +1.8V~+3.3V |
|
頻率公差 （含常溫偏差） |
f_tol | ±20ppm，±25ppm，±50ppm，±100ppm |
| 保存溫度范圍 | T_stg | -55℃~+125℃ |
| 運行溫度范圍 | T_use |
-10℃~+70℃ -40℃~+85℃ -40℃~+105℃ -40℃~+125℃ |
| 消耗電流 | ICC | 45mA max. (fo≦170MHz) |
| 待機時電流（＃1引腳"L"） | I_std | 10μA max. |
| 輸出負載 | Load-R | 15pF |
| 波形對稱 | SYM | 45~55% [at outputs cross point] |
| 上升時間 下降時間 | tr, tf | 0.5ns max. [20~80% Output, OutputN] |
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鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用SPXO耐高溫晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害諧振器.如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD晶體.在下列回流條件下,對晶體產(chǎn)品甚至SMD高精度晶振使用更高溫度,會破壞產(chǎn)品特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致石英晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射.
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進口石英環(huán)保2520晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致SMD低功耗晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn).遵守有關(guān)環(huán)境保護的法律、標準、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標和目標,同時促進這些活動,并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進.在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團隊工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環(huán)保意識.確保公眾環(huán)境保護活動的信息公開.
QANTEK晶振集團將確保其高性能晶振產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國家的、州立的以及地方環(huán)保機構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)保活動. 在地方對各項設(shè)施的管理責(zé)任中,確保滿足方針的目標指標,同時在各種經(jīng)營與生產(chǎn)活動中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標準規(guī)范的要求.
QANTEK晶振集團認識到進行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時也認識到針對全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.過去QANTEK晶振集團已經(jīng)針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強責(zé)任感以便進行環(huán)境績效的持續(xù)改進.
QANTEK晶振集團將:不論何時何地盡可能的進行源頭污染預(yù)防.為環(huán)境目標指標的建立與評審提供框架.通過充分利用或回收等方法實現(xiàn)對自然資源的保持.美國QANTEK晶振將:通過適當控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖
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