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晶振廠家
進(jìn)口晶振
歐美晶振
臺(tái)產(chǎn)晶振
Tel:0755-27838351
Add:廣東深圳市寶安區(qū)67區(qū)留仙一路甲岸科技園3棟5樓
Email:konuaer@163.com
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- 編號(hào)：59014554
- 頻率：13~52MHz
- 尺寸：2.5*2.0*1.0mm
ILSI晶振,I587晶振,進(jìn)口溫補(bǔ)晶振
高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振...
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ILSI晶振,I587晶振,進(jìn)口溫補(bǔ)晶振.小體積貼片2520mm晶振,外觀小型,表面貼片型晶體諧振器,因本身體積小等優(yōu)勢(shì),適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.小型,薄型,輕型 (2.5 × 2.0 × 1.0mm typ.) 具備優(yōu)良的耐環(huán)境特性及高耐熱性強(qiáng).滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.
晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝.1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.
晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝.1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.
ILSI America成立于1987年,其使命是成為世界級(jí)的ILSI晶振供應(yīng)商.頻率控制產(chǎn)品.通過(guò)有機(jī)增長(zhǎng)和戰(zhàn)略收購(gòu),美國(guó)ILSI 現(xiàn)在是廣泛設(shè)計(jì),制造和供應(yīng)的全球領(lǐng)導(dǎo)者,涵蓋四個(gè)品牌的組件:ILSI,MMD,Ecliptek和Oscilent.美國(guó)ILSI晶振滿足廣泛的要求,滿足OEM和CEM的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn).通過(guò)以下產(chǎn)品在許多垂直市場(chǎng)的客戶:石英晶體,晶體振蕩器,MEMS振蕩器,TCXO,VCXO,OCXO,濾波器和諧振器.
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| 型號(hào) | 符號(hào) | I587 |
| 輸出方式 | - | Clipped Sine wave |
| 輸出頻率范圍 | fo | 13~52MHz |
| 電源電壓 | VCC | +2.8V~+3.3V |
|
頻率公差 （含常溫偏差） |
f_tol | ±2.0ppm |
| 保存溫度范圍 | T_stg | -40℃~+85℃ |
| 運(yùn)行溫度范圍 | T_use | -30℃~+85℃ |
| 消耗電流 | ICC | 45mA max. (fo≦170MHz) |
| 待機(jī)時(shí)電流（＃1引腳"L"） | I_std | 10μA max. |
| 輸出負(fù)載 | Load-R | 10pF |
| 波形對(duì)稱 | SYM | 45~55% [at outputs cross point] |
| 上升時(shí)間 下降時(shí)間 | tr, tf | 0.5ns max. [20~80% Output, OutputN] |
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晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊
所有石英晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供.
撞擊
雖然2520貼片晶振產(chǎn)品在設(shè)計(jì)階段已經(jīng)考慮到其耐撞擊性,但如果掉到地板上或者受到過(guò)度的撞擊,以防萬(wàn)一還是要檢查特性后再使用.
保管
保管在高溫多濕的場(chǎng)所可能會(huì)導(dǎo)致端子軟焊性的老化.請(qǐng)?jiān)跊](méi)有直射陽(yáng)光,不發(fā)生結(jié)露的場(chǎng)所保管.
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害諧振器.如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD晶體.在下列回流條件下,對(duì)晶體產(chǎn)品甚至耐高溫晶振使用更高溫度,會(huì)破壞產(chǎn)品特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞石英晶體諧振器,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射.
公司的各項(xiàng)能源、資源消耗指標(biāo)和排放指標(biāo)達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)水平.ILSI晶振集團(tuán)實(shí)施創(chuàng)新戰(zhàn)略,提高自主創(chuàng)新能力,確保公司可持續(xù)發(fā)展.實(shí)施節(jié)約戰(zhàn)略,提高建設(shè)節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力,確保實(shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標(biāo).
ILSI晶振集團(tuán)將確保其進(jìn)口低電壓振蕩器產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國(guó)家的、州立的以及地方環(huán)保機(jī)構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時(shí)該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機(jī)關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)保活動(dòng). 在地方對(duì)各項(xiàng)設(shè)施的管理責(zé)任中,確保滿足方針的目標(biāo)指標(biāo),同時(shí)在各種經(jīng)營(yíng)與生產(chǎn)活動(dòng)中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求
對(duì)我們的進(jìn)口SMD晶振產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn),同時(shí)告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對(duì)環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務(wù)提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境.ILSI集團(tuán)將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少?gòu)U物產(chǎn)生和排放.我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故,保護(hù)公眾健康的同時(shí),努力改進(jìn)我們的操作.我公司將積極參與加強(qiáng)公眾環(huán)境、健康和安全意識(shí)的活動(dòng),提高公眾對(duì)普遍的環(huán)境、健康和安全問(wèn)題的注意.
ILSI晶振所有的經(jīng)營(yíng)組織都將積極應(yīng)用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)以及適用的法律法規(guī).為促進(jìn)合理有效的公共政策的制訂實(shí)施加強(qiáng)戰(zhàn)略聯(lián)系.消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件,減少?gòu)U物的產(chǎn)生和排放,有效的使用能源和各種自然資源,緊急事件做好充分準(zhǔn)備,以便及時(shí)做出反應(yīng).
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1.技術(shù)支持 2.客服咨詢
全方位技術(shù)指導(dǎo),專業(yè)的技術(shù)支持讓您感受到 專業(yè)的銷售團(tuán)隊(duì),耐心為您解答任何疑問(wèn),讓您的
前所未有的后顧無(wú)憂. 消費(fèi)得到保障.
3.質(zhì)量保證，誠(chéng)信為上 4.提升業(yè)績(jī),降低成本
我司以“以科技為動(dòng)力，以質(zhì)量求生存”為理念. 為您的產(chǎn)品量身訂制,免費(fèi)取樣,
為您做到低成本,高效率.
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